Транзисторлар

Абай атындағы Қазақ ұлттық педагогикалық

                   Университеті Математика, физика және информатика

          Институты Информатика және білімді ақпараттандыру кафедрасы

[pic 1]

Р Е Ф Е Р А Т

Тақырып: Транзисторлар

Тапсырған: Мыңжасар Жақсылық

Қабылдаған: Баймолда Досан

Алматы 2023

Транзисторлардың тектері

Транзистор дегеніміз екі п текті және бір р текті немесе керісінше екі р текті бір п текті үш шала өткізгіштен құралған екі n-р ауысуы бар электрондык жүйе

Екі шеткісі бір текті, оларды Э-эмиттер және К-коллектор, ал ортанғысы ол екеуінен баска текті, ол Б-база деп аталады. Э-Б - ның аралығындағы n-р ауысуын сыртқы ток көзіне ашық, ал Б-К аралығындағы n-p ауысуын жабық болатындай етіп қосады. Эмиттердін негізгі заряд тасымалдаушы электрондары Э-Б ның n- p ауысуы арқылы базанын негізгі заряд тасымалдаушы кемтіктеріне қарама-қарсы қозғалады. Олар өзара рекомбинацияланады. Базаның кристалы өте жұқа (4-5 мкм), ондағы кемтіктердін саны эмиттердегі электрондардың санына салыстырғанда өте аз, сол себепті, рекомбинацияланудан артылған электрондар базаға келіп шоғырланады. Бұл құбылысты негізгі емес заряд тасымалдаушылардың инжекциясы деп атайды.

Базаға келіп шоғырланған электрондар Б-К көзінің үдетуші әсерінен Б-К-ның n p ауысуы арқылы коллекторға онай диффузияланады. Ондағы зарядтардың жетіспеушілігі азаяды, Б-К - ның n-p ауысуының кедергісі кемиді. Нәтижесінде коллектордың тогы артады. к коллектор тогы жуық шамамен алғанда 12 эмиттер тогымен бірдей шамада болады:

[pic 2]

мұндағы токты күшейту коэффициенті, оның шамасы а = 0,95 +0,99 p-n-р текті транзистордың жұмыстау принципі n-p-n текті транзисторға ұқсас, оған ток көздерінің полюстерін керісінше ауыстырып косса болғаны.

p-n-р және n-p-n транзисторлардың жұмыстау принциптерінің басты ерекшелігі сол, олар бір мезгілде екі түрлі (кемтік және электрон) заряд тасымалдаушылардың қозғалысына негізделген. Сондықтан оларды биполярлы транзисторлар деп атайды.

Жалпы Э-Б - ның n-р ауысуының г, кедергісі Б-К - ның n-p ауысуынын г, кедергісімен салыстырғанда көп кіші. г, <<г,. Демек, Э-Б жүйесіне болымсыз кіші ц айнымалы кернеу берсе, онда коллектор жүйесіндегі R. жүктемеге түскен и, кернеудің мәні одан көп есе артық болады. u, <<u,. Транзистордың мұндай ерекше қасиетін электрлік тербелістерді күшейту және генерациялау үшін қолданады.

Транзисторларды электрлік сұлбаға қосу

Транзисторды электрлік сұлбаға үш түрлі жолмен қосуға болады.

1) ортақ базалы

2) ортак эмиттерлі

3) ортак коллекторлы

Ортақ базалы (база ортақ электрод) сұлбаның коллектрінің тогын 1 базанын A, тогының бір құрама бөлігі ретінде карастыруға болады. Олардың бағыты қарама-қарсы болатынын және коллекторлық қалдық тогын ескерсек, онда:

[pic 3]

мұндағы жалпы базалы сұлбаның тұрақты токты күшейту коэффициенті

[pic 4]

әркашан бірден кіші болатынын байқаймыз.

Коллектордын 1 50 тогы - жабу тогы, ол 12 =0, яғни эмиттер косылмаған кезде байқалады. Токтың A, құраушысы 1, эмиттердін тогымен баскарылады. Ал, 100 калдык ток эмиттердің тогына тәуелді емес, сондыктан ол токтың басқарылмайтын бөлігін құрайды. Оның шамасы, куаты кіші транзисторлар үшін 10 мкА-ден аспайды.

Транзисторлардың бір ерекшелігі, коллектордың тогы эмиттердің

өте әлсіз тогымен де басқарылады, демек 1к = f(1,).

Ортақ эмиттерлі сұлба үшін мына теңдеуді жазайық:

[pic 5]

1,- нің мәнін теңдеуден алып, ді түрлендірсек, онда

[pic 6]

Сонғы өрнегі өрнегіне ұқсас. Демек, ортақ эмиттерлі сұлбаның тұрақты токты күшейту коэффициенті мынаған тең:

Ортак эмиттерлі сұлбаның ерекшелігі, ол тек токты ғана емес кернеуді де күшейтеді, демек сұлбаның кірісіне берілген әлсіз сигналдың куаты артады.

Ортак коллекторлы сұлба кірісінің кедергісі аса жоғары, ал шығысының кедергісі өте төмен болуына байланысты өте сирек колданылады. Сол себепті, біз оған талдау жасамадық.