БиКМОП

Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Факультет радиотехники и электроники

Кафедра микро- и наноэлектроники

Дисциплина:” Технология изготовления интегральных микросхем”

Отчет по лабораторной работе:” БиКМОП”

Выполнили:                                                                                         Проверил:

ст.гр.940301                                                                                 Чернаусик О.М.

Пайызов Э.И

Ксенжевский М. А

Минск 2021

Цель:

Получение представления о технологических процессах изготовления БиКМОП и научиться проведения анализа технологического процесса по результатам измерений тестовых структур.

[pic 1]

1 – второй слой металлизации; 2 – планаризующий окисел; 3 – эмиттер биполярного транзистора; 4 – база; 5 – первый слой металлизации; 6 – первый слой poli-Si; 7 – охранный слой; 8 – второй слой poli-Si; 9 – борофосфорно-силикатное стекло; 10 – подзатворный окисел; 11 – пассивирующий слой; 12 – межуровневый диэлектрик; 13 – изолирующий окисел; 14 – карман p-типа; 15 – эпитаксиальный слой; 16 – исходная пластина; 17 – коллектор;  18 – n-карман; 19 – скрытый n+ слой; 20 – скрытый p+ слой; 21 – n++ приконтактная область; 22 – подлегирование канала; 23 – исток-стоковые области; 24 – скрытый p+ слой; 25 – исток-стоковые области; 26 – подлегирование канала

Рисунок 1 – Сечение структуры БиКМОП-элемента ИМС

1.Сопротивление контактной цепочки Ме-n

1.1 Экспериментальный результат измерений

Таблица экспериментальных измерений (Ом)

[pic 2]

Рисунок 2 –Гистограмма экспериментальныx значений

[pic 3]

Рисунок 3 – Гистограмма теоретических значений

Рекомендации по по изменению технологического процесса по изготовлению БиКМОП.

Видно, что сопротивление контактной цепи Me-n выше, чем оптимальное значение.

Необходимо увеличить дозу ионной имплантации мышьяка для формирования n++ исток-стоковых областей n-МОП -транзистора.