Транзистор

Екi шетiнiң электрөткiзгiштiгi бiр типтi (n- немесе p-типтi), ал арасының өткiзгiштiгi керiсiнше

(p- немесе n- типтi) болатын тұтас шалаөткiзгiш құрылымды биполярлы транзистор деп атайды.

Бiр-бiрiне жақын (арасы бiрнеше микрон ғана) және өткiзгiштiк т‰рiмен кезектесе орналасқан ‰ш

аймақ қарама - қарсы қосылған және тығыз әсерлесетiн екi p-n- өткелiн құрайды. Аймақтардың

өткiзгiштiгiне қарай және өзара орналасуына байланысты олар p-n-p немесе n-p-n болып екiге

жiктелiп схемаларда шартты белгiлермен кескiнделедi (1 және 2- суреттер). Екеуiнiң де жұмыс

iстеу принципi бiрдей. Транзистор – электрт‰рлендiргiш аспап, оның сигналды т‰рлендiру,

генерациялау және к‰шейту қабiлетi қатты денедегi заряд тасушылардың қозғалысымен

анықталады, атап айтқанда инжекция (б‰ркiле шығу) және экстракция (тарту) құбылыстар арқылы

зарядтар тасымалданады. “Транзистор” атауы “кедергi т‰рлендiргiшi” деген ағылшын transfer of

resistor сөздерiнiң аудармасы. Заряд тасушыларына байланысты транзистор биполяр және

униполяр (екiөрiстi немесе бiрөрiстi) болып екiге бөлiнедi. Бiрiншiсiнде тоқты негiзгi және негiзгi

емес тасушылар құрайды, екiншiсiнде тек негiзгi тасушылар. Яғни, негiзгi тасушыларға электр

өрiсi бiр бағытта, ал негiзгi емес заряд тасушыларға электр өрiсi керi бағытта болу керек. Транзистордағы p-n- өткелдерiнiң аумағы бiрдей емес. n1

+

-p- өткелiнiң аумағы n2 –p өткелiне

қарағанда айтарлықтай кiшi болып келедi (1- суреттi қараңыз). Сонымен қатар, қоспа атомдардың

концентрациясы транзистордың әр аймағында әрт‰рлi, яғни транзистордың құрылымы

ассиметриялық т‰рiнде жасалынады. Кристалдың бiр шетi (суретте n1

+ қабаты) екiншi шетiне (n2

қабаты) қарағанда өте к‰штi легiрленген (енгiзiлген қоспалы атомдардың концентрациясы тым

жоғары). Бiрiншiсi эмиттер (шығарушы), ал екiншiсi коллектор (жинаушы) аймақтары деп аталады.

Коллектор аймағының және оның электр аумағы айтарлықтай ‰лкен (жинаушы болғандықтан).

Эмиттер мен коллектор арасындағы база аймағы заряд тасушылардың қозғалысын реттеп,

басқарып отыратын электрод болып саналады. База аймағындағы негiзгi тасушылардың

концентрациясы коллектордiкiнен де төмендеу. Транзистордың жұмыс iстейтiн активтi аймағы

эмиттердiң тура бағыттағы төменгi жағы (1-суретте бұл аймағы сызықшаланбаған). Одан

сызықшаланған аймақтары –пассивтi (айтарлықтай зиянды). Пассивтi аймақтарды жуықтап

жұмыс