ВАХ транзистора

1. Короткі теоретичні відомості[pic 1]

1.1. Загальні положення

         Транзистори з двома переходами і трьома виводами часто називають напівпровідниковими тріодами. Транзистор є системою р-n-р або n-р-n, отриманою в одному монокристалі напівпровідника. [1, 107].

        Р-n- переходи ділять кристал на три області, причому середня область має тип провідності, протилежний крайнім областям. В транзисторі середню область називають базою, а крайні – емітером і колектором. Відділяючі базу переходи називають емітерним, і колекторним

Робочими носіями заряду в транзисторі можуть бути дірки або електрони. Відповідно до цього розрізняють транзистори р-n-р типу і n-р-n типу.

[pic 2]                     [pic 3]

                                а)                                           б)

Рис. 1.1. Умовне графічне зображення біполярного транзистора:
а – для транзистора п-р-п-типу; б – для транзистора  р-п-р-типу

1.2. Режими роботи транзистора[pic 4]

Біполярний транзистор має два взаємодіючих p-n-переходи і від їхнього стану розрізняють три режими роботи: відсічення, насичення й активний. Зазвичай режими відсічення і насичення є ключовими режимами і використовуються при побудові імпульсних схем обчислювальної техніки.

В активному режимі емітерний перехід знаходиться у відкритому стані, а колекторний – у закритому.

До кожного з двох р-n переходів може бути підключена або пряма, або зворотна напруга. Згідно з цим, транзистор може працювати в одному з трьох режимів:

1. режим відсічення – коли обидва переходи закриті;
2. режим насичення – обидва переходи відкриті;

     3.  активний режим – один з переходів (звичайно емітерний) відкритий, а інший (колекторний) закритий. Цей режим зустрічається найбільш часто, особливо в підсилювальній техніці.[1, 108]

У режимі насичення відкриті обидва переходи. Тому в базу заряди інжектуються як з емітера, так і з колектора. Це призводить до інтенсивної рекомбінації носіїв зарядів у базі і нагромадженню нерівновагомих зарядів. Тому в режимі насичення всі струми транзистора мають максимальне значення, а струм бази може навіть дорівнювати струму емітера.

У режимі відсічення обидва переходи знаходяться в закритому стані. У ланцюзі колектора при цьому протікає зворотний струм колекторного переходу IКО, що не залежить від колекторної напруги і залежить від температури. На практиці прийнято вважати, що при збільшенні температури на кожні 10°С струм IКО подвоюється.[2, 16].

2. Довідкові дані транзистора

КТ357А

2.1 Загальні відомості.[pic 5]

Кремнієвий єпітаксійно-планарний p-n-p транзистор призначений для роботи в схемах підсилення генерування коливань високої частоти і в швидкодіючих імпульсних схемах.

Корпус пластмасовий, герметичний, з гнучкими висновками (Рис. 2.1). Маса транзистора не перевищує 0.2 г.

[pic 6]

Рис 2.1. Корпус КТ 357А

[pic 7]

2.2. Номінальні електричні параметри

Транзистор КТ357A[3, 99].

2.3. Максимально допустимі параметри.[pic 8]

 Гарантуються при температурі навколишнього середовища

Tc=-40…+85 °C. [3, 153]

IKmax – постійний струм колектора , мА.............................................................40

UЕБ max –постійна напруга емітер-база, В...........................................................3,5

UKБ max –постійна напруга колектор-база,В..........................................................6